โซลูชันการสังเกตความละเอียดสูงด้วย FE-SEM พร้อมปืนอิเล็กตรอนความสว่างสูง

FE-SEM ที่ติดตั้งปืนอิเล็กตรอนความสว่างสูง (Field Emission Electron Gun) ให้การสังเกตที่มีความละเอียดสูงกว่า SEM แบบดั้งเดิมที่ใช้แหล่งกำเนิดอิเล็กตรอนแบบความร้อน (Thermal Electron Source) ช่วยให้ได้ภาพที่ชัดเจนแม้ในแรงดันเร่งต่ำ (Low Accelerating Voltages) รองรับการใช้งานที่หลากหลาย เหมาะสำหรับการสังเกตรายละเอียดของโครงสร้างที่เล็กมาก
กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบสแกนด้วยการปล่อยสนาม (Field Emission Scanning Electron Microscope, FE-SEM) ใช้ปืนอิเล็กตรอนแบบปล่อยสนามความสว่างสูง (High-Brightness FE Electron Gun) ซึ่งสามารถสังเกตได้อย่างแม่นยำมากกว่า SEM ที่ใช้แหล่งกำเนิดอิเล็กตรอนแบบความร้อน (Thermal Electron Source) FE-SEM ให้ภาพความละเอียดสูงแม้ในแรงดันเร่งต่ำ (Low Accelerating Voltages) ช่วยให้สังเกตโครงสร้างละเอียดบนพื้นผิวของตัวอย่างได้อย่างชัดเจน นอกจากนี้ยังสามารถปรับแต่งการผสมผสานของแหล่งอิเล็กตรอนและเลนส์ให้เหมาะสมกับความต้องการเฉพาะของตัวอย่างและการใช้งานในแต่ละกรณีได้ ทำให้มีประสิทธิภาพในหลากหลายสาขา
คุณสมบัติ
- ปืนอิเล็กตรอนความสว่างสูง (High-Brightness FE Electron Gun): ให้ลำแสงอิเล็กตรอนที่เข้มข้นกว่าแหล่งกำเนิดอิเล็กตรอนแบบความร้อน (Thermal Electron Source) ทำให้สามารถสังเกตโครงสร้างละเอียดได้อย่างชัดเจน
- ความละเอียดสูงในแรงดันเร่งต่ำ (High-Resolution at Low Accelerating Voltages): ให้ภาพที่ชัดเจนแม้ในแรงดันไฟฟ้าต่ำ ช่วยให้สังเกตพื้นผิวของตัวอย่างที่ละเอียดอ่อนได้
- การผสมผสานของเลนส์และแหล่งอิเล็กตรอนที่ยืดหยุ่น (Flexible Lens and Electron Source Combinations): สามารถปรับตั้งค่าการสังเกตให้เหมาะสมกับตัวอย่างหรือการใช้งานที่ต่างกันได้
- การสังเกตที่อ่อนโยนต่อชิ้นงาน (Sample-Friendly Observation): การสังเกตในแรงดันไฟฟ้าต่ำช่วยลดความเสียหายต่อตัวอย่างที่บอบบาง
- การใช้งานที่หลากหลาย (Wide Range of Applications): รองรับการสังเกตตัวอย่างในหลากหลายสาขา เช่น วัสดุศาสตร์ ชีววิทยา และเซมิคอนดักเตอร์
ข้อมูลจำเพาะ
- แหล่งกำเนิดอิเล็กตรอน: ปืนอิเล็กตรอนความสว่างสูง (High-Brightness FE Electron Gun)
- ความละเอียด: ต่ำกว่า 1 นาโนเมตร (ที่แรงดันเร่งสูง)
- แรงดันเร่ง: 0.5kV ถึง 30kV
- โหมดการสังเกต: โหมดสังเกตแรงดันต่ำ (Low Voltage Observation Mode), โหมดตรวจจับอิเล็กตรอนทุติยภูมิ (Secondary Electron Detection Mode), โหมดตรวจจับอิเล็กตรอนสะท้อนกลับ (Backscattered Electron Detection Mode)
- การใช้งาน: วัสดุศาสตร์ ชีววิทยา การวิเคราะห์เซมิคอนดักเตอร์ การวิเคราะห์พื้นผิว
การใช้งาน
- วัสดุศาสตร์ (Material Science): การวิเคราะห์โครงสร้างและข้อบกพร่องบนพื้นผิวของโลหะ เซรามิก โพลิเมอร์ ฯลฯ
- ชีววิทยา (Bioscience): การสังเกตรายละเอียดของเซลล์และโครงสร้างเนื้อเยื่อ รวมถึงการสังเกตพื้นผิวของจุลินทรีย์
- การวิเคราะห์เซมิคอนดักเตอร์ (Semiconductor Analysis): การสังเกตความละเอียดสูงและการประเมินกระบวนการของโครงสร้างการเดินสายและอุปกรณ์ที่มีความละเอียดสูง
- การวิเคราะห์พื้นผิว (Surface Analysis): การประเมินคุณสมบัติพื้นผิวของตัวเร่งปฏิกิริยาและวัสดุนาโน
เพิ่มประสิทธิภาพในการวิเคราะห์ตัวอย่างได้อย่างแม่นยำในหลากหลายสาขา ด้วยการสังเกตความละเอียดสูงที่ขับเคลื่อนด้วยปืนอิเล็กตรอนความสว่างสูง (High-Brightness FE Electron Gun)
สำหรับรายละเอียดเพิ่มเติม โปรดดาวน์โหลดเอกสาร PDF หรือติดต่อเราโดยตรง